研究领域:集成电路。\n从业经历:2006\/07-至今 厦门元顺微电子技术有限公司 TD经理主要从事高低压功率器件(POWER MOSFET(包括LDMOS、VDMOS、Trench-MOS、Super-Junction-MOS),POWER NPN、IGBT等)和ZENER DIODE、TVS DIODE、Shottky DIODE、ESD\/EOS保护器件、CMOS\/BiCMOS、5V\/40V BCD工艺、700V BCD工艺的研究和开发,包括器件版图和工艺流程及参数的设计。工作期间不定期去福州福顺微电子和厦门集顺半导体厂线进行项目流片跟踪、流片测试等,加深设计和产线之间的配合和沟通。\n\n集成电路工艺制造工艺解读?\n集成电路基本工艺包括基片外延生长掩模制造、曝光技术、刻蚀、氧化、扩散、离子注入、多晶硅淀积、金属层形成。集成电路芯片加工工艺,虽然在进行IC设计时不需要直接参与集成电路的工艺流程,了解工艺的每一个细节,但了解IC制造工艺的基本原理和过程,对IC设计是大有帮助的。欢迎大家来咨询我。发表4篇期刊文献。

1、开发了20V-40V、600V-700V N-CH LDMOS、20V~200V N-CH POWER MOSFET(包括\u003C100V Trench MOSFET)、400V~900V N-CH POWER MOSFET(包括600V-800V Super-Junction MOSFET)、20V~200V P-CH POWER MOSFET、400V、600V、1200V IGBT、700V~1600V POWER NPN、2。4V~30V ZENER(TVS) DIODE、400V、600V、1200V N-CH IGBT、600V、1200V FRD、20V-200V SBD、8KV、15KV、20KV ESD、TVS高速数据传输保护器件、BCD工艺等项目和产品; 2、申请和授权22个实用新型和发明专利,承担省市科技计划项目6个; 3、2015年获得厦门市总工会颁发的元顺微(陈利)技术创新工作室荣誉称号。另有2话题分别是:{【话题1:高灵敏度高稳定性霍尔传感器芯片研制及产业化】霍尔传感器芯片是将霍尔元件和信号处理电路利用微电子技术集成在同一颗芯片上的单片电路,是目前使用广泛的磁场传感器,不仅可以用于磁场测量,还可以用于电流、速度、位置、角度等物理量的测量,在汽车电子、智能电网、精密测量、工业自动化、家用电器以及新兴消费电子等领域得到了广泛的应用。 未来几年,随着越来越多的汽车电子和工业设计企业转移到中国,霍尔传感器芯片在中国市场的年销售额将保持20%到30%的高速增长。 与此同时,霍尔传感器芯片的相关技术仍在不断的完善中,可编程霍尔传感器、智能化霍尔传感器以及微型霍尔传感器将有更好的市场前景。目前高端霍尔传感器芯片主要被欧美日的公司所垄断,国内的厂家仅生产门类较少的低端霍尔传感器。 我愿分享高灵敏度高稳定性霍尔传感器芯片研制及产业化的相关内容。【话题2:射频LDMOS功率晶体管研制及产业化】硅基射频RF LDMOS晶体管具有增益高、线性度好、输出功率大及可靠性高等优点,性能上优于硅双极晶体管,成本上比砷化镓场效应管低很多,RF LDMOS已成为移动通信基站与L\/S波段雷达、广播电视、医疗、航天航空以及国防等领域作为功率放大器的首选器件。因此,硅基RF LDMOS功率晶体管是一种市场需求巨大、发展前景广阔的射频功率器件,不仅具有巨大的经济价值,而且具有重要的军事战略价值。 然而RF LDMOS器件的研制与商品化主要以Freescale、NXP、Infineon等国外先进公司为主,这三家公司的产品已经占到全球RF LDMOS市场份额90%左右。国内所使用的RF LDMOS器件全部是从国外进口,且国内对RF LDMOS的需求还在不断增加,面对如此广阔的市场前景,自主研发高性能的RF LDMOS器件具有非常大的意义。 2012年开始提出了重点新产品RF LDMOS的开发计划,开展民用射频LDMOS功率器件的国产化工作。根据项目开发要求,成功开发了系列高输出功率、高增益和高效率的RF LDMOS产品,广泛应用于移动通信基站、无线通讯设备、广播电视等领域。 要是感兴趣,欢迎约见}